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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。

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所以在铺设时要考虑将电缆尾部拉回接线处，这种要求在很多情况下会很难操作，如房间面积很大，线缆很长；房间面积很小，铺设面积有限；房间结构复杂，边墙不是直线而是由多个折线构成等。双导电缆则不需要考虑这个问题。由于电缆本身自成回路，所有的接线全在同一端，在施工中，只要接线端连接供电电源，不需要接线的尾端，可根据具体情况任意放置，大大减少了电缆施工的难度，扩大了电缆地面采暖的适用性。双导电缆与单导电缆相比看得见的区别固然明显，但是更重的确是看不见的区别——有无电磁辐射。电线浅析废电缆的作用常用地电附件：电缆终端接线盒、连接管及接线端子、电缆中间接线盒、钢板接线槽、电缆桥架等。电缆桥架：一般工矿企业室内外架空敷设电力电缆、控制电缆、亦可用于、广播电视等部门在室内外架设。

LM2596系列是3A电流输出降压关型集成稳压芯片，它内含固定频率振荡器(150KHZ)和基准稳压器(1.23v)，并具有完善的保护电路、电流限制、热关断电路等。利用该器件只需极少的外围器件便可构成稳压电路。LM2596内部包含150KHZ振荡器、1.23v基准稳压电路、热关断电路、电流限制电路、放大器、比较器和内部稳压电路等。该器件内部集成频率补偿和固定频率发生器，关频率为150KHz，与低频关调节器相比较，可以使用更小规格的滤波元件。我们通过选择合适的电路元件参数，使其发射结正偏、集电结反偏（Uc＞Ub＞0），那么该电路就工作在放大状态，输入、输出电流满足ic=βib关系，也即集电极电流是基极电流的β倍。设输入为一正弦交流小信号u1（注意是小信号，也即在±0.7v内，如果超过了这个范围会出现饱和失真、截止失真问题），其大小和方向均周期性变化，平均值为零；经过电容C1的耦合后其与原直流偏置电压Ube叠加后变成了脉动直流信号u2，也即u2的波形和u1一样，但u2均为正值即u2＞0，u2的平均电压不在为零，这样的目的是因为发射结导通有一个死区电压，必须抬升电压后才能保证完整的信号输入，否则信号会被削去大部分，造成了严重的失真。减速器的齿隙极小。此种减速器为谐波减速器，其外圆为Z1齿，内圆为Z2齿轮，谐波齿轮的外圆为椭圆形的波形发生器，滑动运行，使外椭圆变形，形成（Z2-Z1）/Z1高减速比。此时，外椭圆为复式啮合，成为小齿隙的减速器。实际上，此减速器常用于要求位置控制精度高的步进电机上。此种减速器能解决低惯量问题或低速大转矩问题。但此减速器的效率比普通减速器要低，使用时要特别注意。下左图为谐波减速器的三相步进电机外形，右图为带谐波减速器，速比为1/50的三相RM型步进电机的速度-转矩特性。晶闸管又称为可控硅整流器，我们经常也叫可控硅，单向可控硅它是PNPN四层半导体结构，中间形成三个PN结，总共有三个极：阳极，阴极和控制极。只要在阳极和阴极加正向电压并且控制板极有触发电流就能导通。值得注意的是：可控硅一旦导通，控制电压便失去了对它的控用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者施加反向电压。而对于双向晶闸管来说，它相当于两个单向晶闸管的反向并联，这样的话双向晶闸管在正、反两个方向上都能够控制导电，双向晶闸管的正、反向伏安特性曲线具有对称性，所以给双向晶闸管的控制极加正的或负的触发脉冲，都能使管子触发导通，因此普遍用于交流控制关场合。